Wafer Burn In Test (ENAS-11.1.3) - PR1212932-3340-P
Zusammenfassung
Automatisch erstellt aus den VergabeunterlagenDie Fraunhofer-Gesellschaft beschafft 1 Stück Wafer Burn-In-Testsystem für den Standort ENAS in Chemnitz.
Das System dient der Zuverlässigkeitsprüfung von SiC- und GaN-Halbleiterwafern (HTRB, HTGB, Functional Burn-In) bei Temperaturen bis 150 °C und Spannungen bis 1200 V, mit paralleler Belastung von mindestens 1000 Dies.
Es handelt sich um ein zweistufiges Verhandlungsverfahren mit Teilnahmewettbewerb. Teilnahmeanträge sind bis 29.09.2026, 10:00 Uhr ausschließlich elektronisch über das Fraunhofer-Vergabeportal einzureichen. Die Lieferung soll Anfang Februar 2027 erfolgen.
Zeitplan & Fristen
Aus den Vergabeunterlagen extrahiertZuschlagskriterien
Gewichtung laut Vergabeunterlagen- Preis35%
Angebotspreis ohne MWSt. Metrische Bewertung: niedrigster Angebotspreis erhält volle Punktzahl, doppelt so hoher Preis 0 Punkte, lineare Interpolation dazwischen.
- Technische Ausführung des Produktes / tech. product/service features55%
Bewertung der technischen Leistungsmerkmale anhand der mit B gekennzeichneten LV-Positionen. Nicht-metrische Bewertung 0-100 Punkte nach Vor-/Nachteilen. Die LV-Positionen mit B-Bewertung umfassen: Betriebstemperaturbereich, Multi-Wafer-Fähigkeit, Wafergrößen-Kompatibilität, DUT-Flexibilität, Anzahl parallel testbarer Dies (Gate/Drain Stress), Gate-Spannungsbereich (min/max), Drain-Source-Spannung, I/O-Kanäle pro Wafer, Max Strom pro Kanal, Kontakte pro Wafer, Training für Software und System (je 2 Punkte), Service-Reaktionszeit vor Ort.
- Nachhaltigkeit / Sustainability10%
Bewertung der Nachhaltigkeit anhand der mit N gekennzeichneten LV-Positionen: Leistungsaufnahme im Betrieb (25 Punkte), Leistungsaufnahme Standby (25 Punkte), CDA-Verbrauch Durchschnitt (25 Punkte), CDA-Verbrauch maximal (25 Punkte). Niedrigere Werte werden besser bewertet.
Die Gesamtpunktzahl ergibt sich aus der Summe der gewichteten Punkte je Zuschlagskriterium (max. 100 Punkte). Metrische Kriterien (Preis, Lieferzeit) werden linear interpoliert: niedrigster Wert erhält 100 Punkte, doppelt so hoher Wert 0 Punkte, dazwischen lineare Interpolation. Nicht-metrische Kriterien werden anhand einer Skala 0-100 nach Vor-/Nachteilen bewertet (Note 1=100%, Note 2=80%, Note 3=60%, Note 4=40%, Note 5=20%, Ausschluss=0%).
Leistungsumfang
Aus den VergabeunterlagenSystemtyp und Verwendungszweck
Wafer-Level Burn-In- und Zuverlässigkeitstest-System für SiC- und GaN-Power-Devices.
Ermöglicht Stresstests direkt auf ganzen Wafern über Probecard/Contactor mit folgenden Testarten:
Geeignet für Full-Wafer-Testing; Module/Dies zusätzlich bevorzugt.
Technische Leistungsdaten
Temperatur: kontinuierlicher Betrieb von Umgebung (25 °C) bis 150 °C; höhere Bereiche werden positiv bewertet.
Wafer-Größen: mindestens 200 mm; zusätzlich 100 mm, 150 mm und 300 mm werden bevorzugt.
Parallelität:
Spannungsbereiche:
I/O-Kanäle: mindestens 900 pro Wafer, jeweils mindestens 1 A Strom pro Kanal.
Kontakte: mindestens 30.000 reliable Kontakte pro Wafer.
Elektrische Messfähigkeiten
Wafer-Handling und Kontaktierung
Software, Daten und Konnektivität
Installation und Infrastruktur
Service, Training und Garantie
Eignungskriterien
Geforderte Nachweise laut VergabeunterlagenAllgemeine Eignung
Der Bewerber muss seine fachliche, technische und finanzielle Leistungsfähigkeit nachweisen. Dazu gehören:
Zwingende technische Anforderungen (Ausschluss bei Nichtangabe)
Bewerber müssen belegen, dass ihr angebotenes System folgende Mindestanforderungen erfüllt:
Ausschlussgründe (rechtliche Eignung)
Es darf keiner der folgenden Ausschlussgründe nach §§ 123, 124 GWB vorliegen:
EU-Sanktionen gegen Russland
Pflicht-Eigenerklärung gemäß Art. 5k Abs. 1 VO (EU) 833/2014:
Unterauftragnehmer
Werden Unterauftragnehmer eingesetzt, sind diese zu benennen. Ihre Eignung ist nach denselben Kriterien nachzuweisen (Firmenprofil, Umsatz, Referenzen, Sanktionserklärung). Der Anteil am Auftragsvolumen ist anzugeben.
Sprache und Form
Mindestens 3 vergleichbare Projekte (Wafer-level Burn-In und Zuverlässigkeitstests für SiC/GaN) – nicht älter als 3 Jahre
Kurzbeschreibung des Geräts/Projekts und Kundenbenennung (Name, Ansprechpartner, Kontaktdaten). Bei Datenschutz: Kategorisierung des Auftraggebers (Forschung, Industrie, andere öffentliche Auftraggeber) + Bestätigung der Vergleichbarkeit.
Wettbewerb & Angebotsprognose
Erwartete Konkurrenz auf Basis vergleichbarer VergabenVerlauf dieser Vergabe
3 Bekanntmachungen- 30.09.2026Ausschreibungauf dieser Seite
- Teilnahmefrist: 01.10.2026 → 07.10.2026
- 31.08.2026Ausschreibung
- Teilnahmefrist: 29.09.2026 → 01.10.2026
- 27.08.2026Ausschreibung
Auf einen Blick
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