Molekularstrahlepitaxieanlage mit Möglichkeit der optischen Interferenzlithografie
Zusammenfassung
Automatisch erstellt aus den VergabeunterlagenLieferung einer hochspezialisierten MBE-Anlage (Molekularstrahlepitaxie) für die Ruhr-Universität Bochum.
Die Anlage muss III-V-Epitaxie ermöglichen und über einen optischen Zugang für Multi-Beam-Laser-Interferenzstrukturierung verfügen. Sie wird frei Verwendungsstelle an die Ruhr-Universität Bochum geliefert (Gebäude NB, Universitätsstr. 150, 44801 Bochum).
Wichtig zu wissen:
Zeitplan & Fristen
Aus den Vergabeunterlagen extrahiertZuschlagskriterien
Gewichtung laut Vergabeunterlagen- Substratmanipulator mit motorisierter kontinuierlicher Rotation für III-V MBE Kammer und Wafer-Transfersystem (Pos. 12)60%
Wasser- oder LN2-gekühlter Substratmanipulator mit motorisierter kontinuierlicher Rotation sowie Wafer-Transfersystem für 115 mm Mo-Platen, kompatibel mit bestehendem MBE-System (Omicron).
- Silizium-Dotierquelle (Pos. 16)20%
Silizium-Dotierquelle mit ein oder zwei Silizium-Filamenten, abgeschirmt durch Siliziumbauteile, geeignet für schnelles Aufheizen vom Standby- in den Betriebszustand.
- Magnetisches Transfer-Tunnelsystem mit Erweiterungsmöglichkeit (Pos. 23)40%
Transfersystem basierend auf magnetischem Transfer-Tunnelsystem, welches bei Bedarf in Zukunft mit weiteren Segmenten verlängert werden kann.
- Präzisions-Rotationssteuerung für Gradientenwachstum (Pos. 27)30%
Anfahren und Halten jeder beliebigen Winkelposition (0-360°) muss mit einer Genauigkeit von ≤ 0,15° realisiert werden.
- Substrattemperatur-Gleichmäßigkeit (Pos. 29)20%
Die Substrattemperatur eines 100 mm Wafers (excl. 5 mm Rand) darf bei einer mittleren Oberflächentemperatur von 500 °C nicht mehr als 5 °C Unterschied zwischen heißester und kältester Stelle aufweisen.
Z = L / P (einfache Richtwertmethode nach UfAB V); L = Gesamtsumme der erzielten Bewertungspunkte, P = Gesamtpreis gemäß Leistungsverzeichnis. Der Zuschlag wird auf das Angebot mit der höchsten Kennzahl Z erteilt.
Leistungsumfang
Aus den VergabeunterlagenGesamtsystem – MBE für III-V-Epitaxie mit optischem Lithografie-Zugang
Kern der Lieferung: Ein komplettes MBE-System (Molecular Beam Epitaxy) für III-V-Halbleiterepitaxie, das zusätzlich über einen optischen Zugang für Multi-Beam-Laser-Interferenzstrukturierung (Interferenzlithografie) verfügt.
Das System umfasst eine MBE-Kammer mit mindestens 12 Quellenflanschen und MBE-Kryopanel mit vakuumisolierten VBC-A5-Adaptern, vier Flansche bei Azimutwinkeln 0°/90°/180°/270° (Höhenwinkel 20°–60°) sowie motorisierte, heizbare Sichtfenster mit Antireflex-Beschichtung für 355 nm. Zusätzlich sind mindestens zwei heizbare Metrologie-Ports unterhalb der Substratebene vorzusehen.
Es handelt sich um eine Einzellieferung (keine losweise Vergabe); die Anlage wird frei Verwendungsstelle an die Ruhr-Universität Bochum, Gebäude NB, Universitätsstr. 150, 44801 Bochum geliefert.
Prozessüberwachung und Vakuumtechnik
Substrathandling und Transfer
Quellen und Dotierung
Steuerung, Software und Dokumentation
Eignungskriterien
Geforderte Nachweise laut VergabeunterlagenWirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit
Fachliche Eignung – Referenzen
Ausschlussgründe und Zuverlässigkeit
Unternehmensdarstellung und Unteraufträge
Optionale Nachweise auf Anforderung
Auf gesonderte Aufforderung durch den Auftraggeber können folgende Nachweise verlangt werden:
Vergleichbare Referenzaufträge (Lieferung/Aufbau vergleichbarer Anlagen)
Erfolgreich abgewickelte Aufträge mit Kunde, Ansprechpartner, Anschrift/Telefon, Vertragslaufzeit, Umsatzvolumen, Auftragsbeschreibung. Bei mehr als 3 Referenzen: separate Anlage verwenden.
Referenz für Interferenzstrukturierung – installiertes System im Bereich Interferenzstrukturierung
Nachweis eines installierten, im Bereich Interferenzstrukturierung eingesetzten Systems, inkl. Referenzveröffentlichung.
Wettbewerb & Angebotsprognose
Erwartete Konkurrenz auf Basis vergleichbarer VergabenVerlauf dieser Vergabe
2 Bekanntmachungen- 13.07.2026Ausschreibungauf dieser Seite
- Abgabefrist: 15.07.2026 → 22.07.2026
- 08.06.2026Ausschreibung
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