High Temperature 200 mm Ion Implanter - PR1293607-2790-W
Zusammenfassung
Automatisch erstellt aus den VergabeunterlagenDie Fraunhofer-Gesellschaft beschafft für das Fraunhofer IISB in Erlangen einen Hochtemperatur-Ionenimplanter für 200-mm-Wafer. Das Gerät dient u.a. zur Dotierung von Siliziumkarbid (SiC) und Silizium sowie für Anwendungen in der Halbleitertechnik.
Verfahren: Verhandlungsverfahren mit Teilnahmewettbewerb, EU-weit, keine Losaufteilung.
Zum Angebot gehören:
Abgabefrist: 09.11.2026, 10:00 Uhr, ausschließlich elektronisch über die Vergabeplattform der Fraunhofer-Gesellschaft.
Wertung: Technische Ausführung 65 %, Preis 35 %.
Eignung: u.a. Firmenprofil, Umsatzangaben (max. 3 Jahre alt), mindestens 3 vergleichbare Referenzprojekte (nicht älter als 2023), Eigenerklärungen zu Ausschlussgründen, Sanktionen und Selbstständigkeit.
Zeitplan & Fristen
Aus den Vergabeunterlagen extrahiertZuschlagskriterien
Gewichtung laut Vergabeunterlagen- Preis35%
Angebotspreis (metrisches Zuschlagskriterium). Bewertung: Niedrigster Angebotspreis erhält volle Punktzahl (100 Punkte). Ein fiktiver doppelt so teurer Preis erhält 0 Punkte. Dazwischenliegende Preise werden mittels linearer Interpolation in Punkte umgewandelt.
- Technische Ausführung des Produktes / der DL65%
Technische Ausführung / tech. product/service features (nichtmetrisches Zuschlagskriterium). Bewertung anhand einer Punkteskala von 0 bis 100: 100% = sehr gut (Note 1, relativ beste Lösung), 80% = gut (Note 2), 60% = befriedigend (Note 3), 40% = ausreichend (Note 4), 20% = mangelhaft (Note 5), 0% = Ausschluss. Die B-Kriterien aus dem LV umfassen u.a.: Konversionszeit Waferhandling 200/150 mm (Pos. 1.4, 10 Pkt.), Wafer-Temperatur bei Hochtemperatur-Implantation (Pos. 3.3.2, 10 Pkt.), Massenauflösung M/ΔM (Pos. 3.4.1, 10 Pkt.), Hochenergie-Implantation ≥950 keV (Pos. 5.2.2, 10 Pkt.), Min. Dosis ≤1e11/cm² (Pos. 5.3.2, 10 Pkt.), Strahlströme B/P/As bei 2 keV (Pos. 5.4.2/5.4.4/5.4.6, je 10 Pkt.), Verifikation Channeling-Implantation in SiC (Pos. 6.1, 10 Pkt.), Steuerungsrechner mit Windows 11/RAID (Pos. 9.2, 10 Pkt.).
Leistungsumfang
Aus den VergabeunterlagenHauptlieferung: Ionenimplanter
Lieferung eines High Temperature 200 mm Ion Implanter (1 Stück) inkl. Verpackung, Versicherung, Lieferung DPU (Incoterms 2020) nach Fraunhofer IISB, Erlangen.
Wafer-Handling:
Implantationsparameter:
Temperatur:
Massentrennung:
Strahlströme (Mindestwerte):
Kontamination:
Anwendungsgebiete
Einsatzgebiete des Ionenimplanters umfassen:
IT, Schnittstellen und Ersatzteile
IT/Schnittstellen:
Ersatzteile:
Service-Reaktionszeiten:
Installation, Schulung und Dokumentation
Installation/Inbetriebnahme:
Dokumentation:
Optionale Zusatzleistungen
Drei optionale Positionen (vom Auftraggeber einseitig wählbar; müssen zwingend angeboten werden):
1. Ionenquelle (Pos. 3.2.3) – Alternative Verfahren zur Implantation von Aluminium mit anderen Methoden als der Verdampfung
2. Channeling-Implantation in SiC (Pos. 5.7.2) – Messsystem zur Bestimmung der exakten Ausrichtung des SiC für die Channeling-Implantation
3. Wartungsvertrag (Pos. 13.4) – Zweijähriger Wartungsvertrag mit zwei Verlängerungsoptionen um jeweils ein weiteres Jahr
Eignungskriterien
Geforderte Nachweise laut VergabeunterlagenFachliche Eignung – Firmenprofil
Vorlage eines Firmenprofils (F 1.1.1) mit folgenden Mindestangaben:
Darstellung in Textform (keine Links/Bilder).
Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit
Referenzen
Mindestens 3 vergleichbare Projekte (F 1.1.3), nicht älter als 2023.
Je Referenz:
Zuverlässigkeit / Rechtliche Eignung
Nachunternehmer
Bei Einsatz von Nachunternehmern:
Unvollständige Eignungsunterlagen können zum Ausschluss vom Verfahren führen.
Vergleichbare Projekte: Lieferung/Inbetriebnahme von Ionenimplantationsanlagen oder vergleichbaren Halbleiter-Fertigungsanlagen
Kurzbeschreibung des Geräts; Kundennennung inkl. Kontaktdaten
Wettbewerb & Angebotsprognose
Erwartete Konkurrenz auf Basis vergleichbarer VergabenAuf einen Blick
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