Zusammenfassung
Automatisch erstellt aus den VergabeunterlagenKurzbeschreibung
Die Fraunhofer-Gesellschaft beschafft ein feldfreies FIB-SEM Dualbeam-System (Focused Ion Beam + Rasterelektronenmikroskop) für das Heinrich-Hertz-Institut in Berlin. Es wird für Strukturierung, Nanostrukturierung sowie Querschnitts- und Oberflächenanalyse von III/V-Halbleitern, LNOI, Polymeren und Resists eingesetzt.
Wichtige Eckpunkte:
Zeitplan & Fristen
Aus den Vergabeunterlagen extrahiertZuschlagskriterien
Gewichtung laut Vergabeunterlagen- Preis40%
Angebotspreis ohne MwSt, bewertet als metrisches Kriterium. Niedrigster Preis erhält 100 Punkte, doppelter Preis 0 Punkte, lineare Interpolation dazwischen. Optionen fallen in die preisliche Bewertung.
- Technische Ausführung des Produktes/der DL50%
Technische Ausführung des Produktes/der Dienstleistung. Bewertung anhand einer Punkteskala von 0-100. Die maximale Punktzahl je Bewertungsposition ist dem Leistungsverzeichnis (LV) zu entnehmen. Bewertet wird z.B. die Erfüllung der Anforderungen an das FIB-SEM Dualbeam System (Strukturierung, Nanostrukturierung, Querschnitts- und Oberflächenanalyse, automatisierte Routinen etc.).
- Nachhaltigkeit / Sustainability10%
Nachhaltigkeitsaspekte des Angebots. Die genaue Bewertungsmethode und Unterkriterien sind den Vergabeunterlagen (LV) zu entnehmen.
Metrische Kriterien (z.B. Preis) werden linear interpoliert: Niedrigster Wert = 100 Punkte, doppelter Wert = 0 Punkte, dazwischen lineare Interpolation. Nicht-metrische Kriterien werden auf einer Skala von 0-100 Punkten bewertet, wobei das beste Angebot 100 Punkte erhält. Die Gesamtpunktzahl ergibt sich aus der Summe der gewichteten Punkte je Zuschlagskriterium (max. 100 Punkte gesamt).
Leistungsumfang
Aus den VergabeunterlagenHauptleistung – FIB-SEM Dualbeam-System
Lieferung von 1 Stück FIB-SEM Dualbeam System (feldfrei, ohne Immersionsoptik). Die Anlage kombiniert:
Einsatzgebiete: Strukturierung, Nanostrukturierung, Querschnitts- und Oberflächenanalyse von III/V-Halbleitern (z. B. GaAs, InP, GaN), LNOI, Polymeren, Resists und typischen Halbleiter-Prozessprodukten.
Voraussetzungen: 230 V Stromversorgung, CE-Zertifizierung, USV 2 kW, passende Raummaße, Neugerät, field-free (ohne Immersionsoptik), Starter-Kit und Probenhalter im Lieferumfang.
Nebenleistungen (im Lieferumfang enthalten)
Optionale Leistungen (einfaches Optionsrecht des Auftraggebers)
Hinweis: Das Anbieten der Optionen ist freiwillig. Werden sie angeboten, fließen sie in die Wertung ein; werden sie nicht angeboten, werden 0 Punkte vergeben.
Service, Installation und Inbetriebnahme
Nachhaltigkeit
Eignungskriterien
Geforderte Nachweise laut VergabeunterlagenAllgemeine Anforderungen
Fachliche Eignung – Firma, Umsatz, Referenzen
Rechtliche Eignung – Ausschlussgründe & Erklärungen
Nachhaltigkeit als Eignungsbestandteil
Plasma-FIB-Anlage mit Xenon-Gasquelle, eingesetzt in Halbleiterfertigung oder Halbleiterforschung (z. B. Silizium, GaAs, InP, GaN); reine Gallium-FIB-Anlagen zählen NICHT
Pro Referenz: Kurzbeschreibung des Geräts, Name und Kontaktdaten des Auftraggebers, Jahr der Leistungserbringung