Zusammenfassung
Automatisch erstellt aus den VergabeunterlagenBeschaffung eines vollautomatischen Plasma-Ätzsystems (Hauptgerät + Prozesskammern) für die Bearbeitung von 300-mm-Silizium-Wafern in einer Reinraum-Umgebung (Klasse 1000 / EN ISO 14644-1 Klasse 6).
Das System dient der Strukturierung von Hoch-Aspect-Ratio-Merkmalen in Silizium und zugehörigen Materialien (z. B. SiO₂, SiN). Geliefert wird 1 Stück inkl. optional anbietbarer Positionen (z. B. Wafer-Handling, Sicherheit, Prozess-Spezifikationen, Gase, Nachhaltigkeit, Cost of Ownership). Die Lieferzeit ist verbindlich in Kalenderwochen ab Zuschlag anzugeben (Vorgabe: 52 Wochen).
Der Zuschlag erfolgt nach Qualität (55 % Technik, 35 % Preis, 10 % Lieferzeit). Angebote werden elektronisch über das Fraunhofer-Vergabeportal eingereicht.
Zeitplan & Fristen
Aus den Vergabeunterlagen extrahiertZuschlagskriterien
Gewichtung laut Vergabeunterlagen- Preis35%
Angebotspreis ohne MwSt, metrische Bewertung über lineare Interpolation: niedrigster Preis erhält volle Punktzahl, doppelt so teurer Preis erhält 0 Punkte.
- Technische Ausführung des Produktes / der DL55%
Technische Ausführung des Produktes/der Dienstleistung. Nichtmetrische Bewertung anhand einer Punkteskala 0-100, wobei das relativ beste Angebot die Höchstpunktzahl erhält.
- Verbindliche Lieferzeit / Binding delivery period10%
Verbindliche Lieferzeit (≤ 52 Wochen). Metrische Bewertung über lineare Interpolation: kürzeste Lieferzeit erhält volle Punktzahl, doppelt so lange Lieferzeit erhält 0 Punkte.
Gesamtpunktzahl = Summe der gewichteten Punkte je Zuschlagskriterium. Metrische Kriterien (Preis, Lieferzeit): niedrigster Wert = volle Punktzahl, doppelter Wert = 0 Punkte, dazwischen lineare Interpolation. Nichtmetrische Kriterien: Bewertung anhand einer Punkteskala 0-100 (100=sehr gut, 80=gut, 60=befriedigend, 40=ausreichend, 20=mangelhaft, 0=Ausschluss).
Leistungsumfang
Aus den VergabeunterlagenHauptliefergegenstand
1 Stück System for High Aspect Ratio Etch, bestehend aus Mainframe (Hauptgerät) und Prozesskammern (Process Chambers), Gerätekennung IPMS-CNT05.1.
Das System ist vollautomatisch und für 300-mm-Silizium-CMOS-Wafer ausgelegt. Einsatz in einer Reinraum-Umgebung der Klasse 1000 (entspricht ca. EN ISO 14644-1 Klasse 6).
Funktion und Einsatz
Plasma-Ätzprozesse zur Strukturierung von Hoch-Aspect-Ratio-Merkmalen in Silizium und zugehörigen Materialien (z. B. SiO₂, SiN).
Lieferzeit
Verbindliche Lieferzeit in Kalenderwochen ab Zuschlag; Referenzwert laut Leistungsverzeichnis: 52 Wochen.
Optionale Positionen
Folgende optionale Positionen können angeboten werden und sind relevant für die Angebotssumme:
Der Auftraggeber hat ein einseitiges Optionsrecht auf Abruf dieser Leistungen.
Erfüllungsort
Dresden (PLZ 01109), Deutschland.
Vertragslaufzeit
23 Monate ab Vertragsbeginn.
Eignungskriterien
Geforderte Nachweise laut VergabeunterlagenEignung – Ausschlussgründe (§ 123/124 GWB)
Der Bieter muss das Formular 'Eigenerklärung über das Nichtvorliegen von Ausschlussgründen nach § 123 und § 124 GWB' vollständig ausfüllen, unterschreiben und mit dem Angebot einreichen. Betroffen sind u. a.:
Liegt ein Ausschlussgrund vor, können Selbstreinigungsmaßnahmen gemäß § 125 GWB eingereicht werden, um den Ausschluss zu entkräften.
Eignung – Fachliche Leistungsfähigkeit (Referenzen)
Nachweis der Leistungsfähigkeit über das Auswahlkriterium slc-abil-ref-supply:
Eignung – Nachunternehmer
Bei Einsatz von Nachunternehmern sind folgende Angaben zwingend:
Eignung – Nachhaltigkeit (Fraunhofer-Nachhaltigkeitsstandards)
Der Bieter muss die Nachhaltigkeitsstandards der Fraunhofer-Gesellschaft (NHS) einhalten und dies bestätigen. Wesentliche Anforderungen sind u. a.:
Eignung – Sprache und Form
Angebotssprache: Deutsch (Sprachkennung DEU); auf Verlangen ist eine englische Übersetzung beizufügen. Einreichung schriftlich oder elektronisch (Textform, fortgeschrittene oder qualifizierte Signatur) über https://vergabe.fraunhofer.de.
Nachweis der Lieferung und Inbetriebnahme einer vergleichbaren, vollautomatisierten Plasma-Ätzanlage für 300-mm-Wafer-Technologie (High-Aspect-Ratio-Etch)
Vergleichbarkeit mit dem ausgeschriebenen High-Aspect-Ratio-Ätzsystem (300 mm, Si und SiO₂/SiN); Auswahlkriterium slc-abil-ref-supply