Zusammenfassung
Automatisch erstellt aus den VergabeunterlagenDie Fraunhofer-Gesellschaft beschafft 1 Stück Wafer Burn-In-Testsystem für den Standort ENAS in Chemnitz.
Das System dient der Zuverlässigkeitsprüfung von SiC- und GaN-Halbleiterwafern (HTRB, HTGB, Functional Burn-In) bei Temperaturen bis 150 °C und Spannungen bis 1200 V, mit paralleler Belastung von mindestens 1000 Dies.
Es handelt sich um ein zweistufiges Verhandlungsverfahren mit Teilnahmewettbewerb. Teilnahmeanträge sind bis 29.09.2026, 10:00 Uhr ausschließlich elektronisch über das Fraunhofer-Vergabeportal einzureichen. Die Lieferung soll Anfang Februar 2027 erfolgen.
Zeitplan & Fristen
Aus den Vergabeunterlagen extrahiertZuschlagskriterien
Gewichtung laut Vergabeunterlagen- Preis35%
Angebotspreis (ohne MWSt), metrische Bewertung über lineare Interpolation: niedrigster Preis erhält volle Punktzahl, fiktiver doppelt so teurer Preis erhält 0 Punkte.
- Technische Ausführung des Produktes/der DL55%
Technische Leistungsfähigkeit des Wafer Burn In Test Systems, bewertet anhand der mit B gekennzeichneten LV-Positionen. Das Angebot mit der relativ besten Lösung erhält die Höchstpunktzahl, andere Angebote werden anhand der Unterschiede/Nachteile bewertet (0-100 Punkte Skala, Note 1-5).
- Nachhaltigkeit/Sustainability10%
Nachhaltigkeitskriterien bewertet anhand der mit N gekennzeichneten LV-Positionen. Die Punkte der N-Kriterien werden zur Nachhaltigkeitsbewertung zusammengefasst.
Preis/Lieferzeit: lineare Interpolation - niedrigster Wert erhält volle Punktzahl, doppelter Wert erhält 0 Punkte. Nichtmetrische Kriterien: Bewertung anhand Punkteskala 0-100 mit Note 1-5 (100/80/60/40/20%). Gesamtpunktzahl = Summe der gewichteten Punkte je Zuschlagskriterium, max. 100 Punkte.
Leistungsumfang
Aus den VergabeunterlagenSystemtyp und Verwendungszweck
Wafer-Level Burn-In- und Zuverlässigkeitstest-System für SiC- und GaN-Power-Devices.
Ermöglicht Stresstests direkt auf ganzen Wafern über Probecard/Contactor mit folgenden Testarten:
Geeignet für Full-Wafer-Testing; Module/Dies zusätzlich bevorzugt.
Technische Leistungsdaten
Temperatur: kontinuierlicher Betrieb von Umgebung (25 °C) bis 150 °C; höhere Bereiche werden positiv bewertet.
Wafer-Größen: mindestens 200 mm; zusätzlich 100 mm, 150 mm und 300 mm werden bevorzugt.
Parallelität:
Spannungsbereiche:
I/O-Kanäle: mindestens 900 pro Wafer, jeweils mindestens 1 A Strom pro Kanal.
Kontakte: mindestens 30.000 reliable Kontakte pro Wafer.
Elektrische Messfähigkeiten
Wafer-Handling und Kontaktierung
Software, Daten und Konnektivität
Installation und Infrastruktur
Service, Training und Garantie
Eignungskriterien
Geforderte Nachweise laut VergabeunterlagenAllgemeine Eignung
Der Bewerber muss seine fachliche, technische und finanzielle Leistungsfähigkeit nachweisen. Dazu gehören:
Zwingende technische Anforderungen (Ausschluss bei Nichtangabe)
Bewerber müssen belegen, dass ihr angebotenes System folgende Mindestanforderungen erfüllt:
Ausschlussgründe (rechtliche Eignung)
Es darf keiner der folgenden Ausschlussgründe nach §§ 123, 124 GWB vorliegen:
EU-Sanktionen gegen Russland
Pflicht-Eigenerklärung gemäß Art. 5k Abs. 1 VO (EU) 833/2014:
Unterauftragnehmer
Werden Unterauftragnehmer eingesetzt, sind diese zu benennen. Ihre Eignung ist nach denselben Kriterien nachzuweisen (Firmenprofil, Umsatz, Referenzen, Sanktionserklärung). Der Anteil am Auftragsvolumen ist anzugeben.
Sprache und Form
Mindestens 3 vergleichbare Projekte (Wafer-level Burn-In und Zuverlässigkeitstests für SiC/GaN) – nicht älter als 3 Jahre
Kurzbeschreibung des Geräts/Projekts und Kundenbenennung (Name, Ansprechpartner, Kontaktdaten). Bei Datenschutz: Kategorisierung des Auftraggebers (Forschung, Industrie, andere öffentliche Auftraggeber) + Bestätigung der Vergleichbarkeit.